MRF175GU
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MA-COM MRF175GU

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型号

MRF175GU

品牌

MA-COM

utmel 编号

1510-MRF175GU

商品类别

分立半导体产品

封装

375-04

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MRF175GU datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from MA-COM stock available at utmel

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MRF175GU MA-COM

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MRF175GU详情

MA-COM MRF175GU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw

  • 包装/外壳

    375-04

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    5

  • 供应商器件包装

    375-04, Style 2

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    65 V

  • RoHS

    Compliant

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10

  • Manufacturer

    MACOM

  • Brand

    MACOM

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    MRF175

  • 厂商

    MACOM技术解决方案

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    65 V

  • Package Description

    CASE 375-04, 4 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Manufacturer Package Code

    CASE 375-04

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MRF175GU

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

  • Risk Rank

    1.53

  • Drain Current-Max (ID)

    26 A

  • 系列

    -

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 子类别

    MOSFETs

  • 额定电流

    26A

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 额定电流

    26 A

  • 频率

    225 MHz

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 输出功率

    200 W

  • 测试电流

    100 mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 测试电流

    100 mA

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 晶体管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Source

  • 连续放电电流(ID)

    26 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    40 V

  • 增益

    14 dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    26 A

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 功率 - 输出

    200W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    400 W

  • 噪声图

    -

  • 电压-测试

    28 V

  • 最高频段

    超高频段

  • 测试电压

    28 V

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

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MRF175GU拓展信息

JAN1N4531UR
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JANTX1N4531UR
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MA4E1340A-1146T
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