MA-COM MRF275L

底架

Screw

包装/外壳

333-04

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

333-04, Style 2

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

65 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

65 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

270 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

Id - Continuous Drain Current

13 A

Package

Tray

Base Product Number

MRF275

厂商

MACOM技术解决方案

Product Status

活跃

Voltage Rated

65 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Package Code

CASE 333-04

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRF275L

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

13 A

包装

Tray

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

MOSFETs

额定电流

13A

最大功率耗散

270 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

13 A

频率

500 MHz

引脚数量

6

JESD-30代码

R-CDFM-F6

资历状况

不合格

工作频率

500 MHz

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

输出功率

100 W

测试电流

100 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

100 mA

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

N-Channel

连续放电电流(ID)

13 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

8.8 dB

最高频率

500 MHz

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

功率 - 输出

100W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

270 W

噪声图

-

电压-测试

28 V

最高频段

超高频段

测试电压

28 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

辐射硬化

无