Maxim Integrated DS1230W-100IND
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DS1230W-100IND
1551-DS1230W-100IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
--最小包装量--
DS1230W-100IND 详情
Maxim Integrated DS1230W-100IND 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
表面安装
NO
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
28
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
10 YEAR DATA RETENTION
HTS代码
8473.30.11.40
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
DS1230W
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDIP-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Kb 32K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
待机电流-最大值
0.00025A
记忆密度
2097152 bit
访问时间(最大)
100 ns
长度
38.225mm
座位高度(最大)
10.668mm
宽度
15.24mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DS1230W-100IND 拓展信息
Maxim Integrated
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