DS1230W-100IND
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Maxim Integrated DS1230W-100IND

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型号

DS1230W-100IND

utmel 编号

1551-DS1230W-100IND

商品类别

存储器

封装

28-DIP Module (0.600, 15.24mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

起订量

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DS1230W-100IND Maxim Integrated IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230W-100IND 详情

Maxim Integrated DS1230W-100IND 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    28-DIP Module (0.600, 15.24mm)

  • 表面安装

    NO

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    28

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    10 YEAR DATA RETENTION

  • HTS代码

    8473.30.11.40

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    2.54mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    DS1230W

  • 引脚数量

    28

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T28

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源

    3.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    256Kb 32K x 8

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    256KX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    100ns

  • 待机电流-最大值

    0.00025A

  • 记忆密度

    2097152 bit

  • 访问时间(最大)

    100 ns

  • 长度

    38.225mm

  • 座位高度(最大)

    10.668mm

  • 宽度

    15.24mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和Maxim Integrated & DS1230W-100IND 相似的参数规格。

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DS1230W-100IND 拓展信息

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