Microchip 1N3016B-1e3

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

1N3016

Impedance (Max) (Zzt)

3.5 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

150 uA

Zz - Zener Impedance

3.5 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

150 uA

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.010935 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

If - Forward Current

200 mA

Vz - Zener Voltage

6.8 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

0.061 %/C

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

6.8 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N3016B-1E3

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.13

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

CMF

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

150 kOhms

端子表面处理

纯铜雾锡

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LALF-W2

失败率

--

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

150 µA @ 5.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

测试电流

37 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.8 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

37 mA

齐纳电流

140 mA

动态阻抗-最大值

3.5 Ω

特征

Flame Retardant Coating, Moisture Resistant, Safety

Vf-正向电压

1.2 V

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

--

长度

5.21 mm

直径

2.72 mm