参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-204AH (DO-35 Glass)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Frequency Aging
±3 ppm
Supplier Package
SMD
Upper Frequency
120 MHz
Output Frequency
120 MHz
Center Frequency
120 MHz
Mounting
表面贴装
Maximum Regulator Current
42(mA)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
DO-35
Typical Voltage Temperature Coefficient
0.08%/°C(MAX)
Rev Curr
0.001(mA)
Knee Impedance
200
Rad Hardened
无
Test Current (It)
0.25(mA)
Package
Bulk
Base Product Number
1N4103
Impedance (Max) (Zzt)
200 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
1 uA
Zz - Zener Impedance
200 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
500 nA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.007055 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Vz - Zener Voltage
9.1 V
RoHS
N
Voltage Temperature Coefficient
0.08 %/C
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
9.1 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N4103
Power Dissipation (Max)
0.48 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.44
Part Package Code
DO-35
操作温度
0 to 70 °C
包装
Bag
系列
-
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
Voltage Controlled Crystal Oscillator (VCXO)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率稳定性
50 ppm
引脚数量
6
JESD-30代码
O-LALF-W2
工作电源电压
20.0000 V
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 6.92 V
功率耗散
0.5(W)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
测试电流
250 uA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
9.1 V
齐纳电压
9.1
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-204AH
工作测试电流
0.25 mA
电压允差
5%
频率范围
38, 800 MHz
齐纳电流
42 mA
输出电平
LVPECL
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
长度
7.62 mm
直径
2.718 mm