Microchip 1N4370A

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer

GE - General Electric

Package

Bulk

Base Product Number

1N4370

Impedance (Max) (Zzt)

30 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Zz - Zener Impedance

30 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

100 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

2.4 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

- 0.085 %/C

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

2.4 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N4370A

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

7.56

Part Package Code

DO-7

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100 µA @ 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

2.4 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

20 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

150 mA

动态阻抗-最大值

30 Ω

产品类别

齐纳二极管