Microchip 1N821AUR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA (Glass)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

质量

33.991078 mg

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

1N821

Impedance (Max) (Zzt)

10 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

2 uA

Zz - Zener Impedance

10 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

2 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.001411 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

6.5 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.01 %/C

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N821AUR

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.32

Part Package Code

DO-213AA

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

Single

阻抗

10 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 3 V

功率耗散

500 mW

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

7.5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

齐纳电压

6.2 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

4.84%

峰值反向电流

2 µA

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

7.5 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

2 uA

动态阻抗-最大值

10 Ω

电压温度系数

0.62 mV/°C

Vf-正向电压

-

产品类别

齐纳二极管

宽度

-

高度

-

长度

5.08 mm

直径

2.29 mm