Microchip 1N938B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N938B

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-7

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

1.57

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

9 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N938

Impedance (Max) (Zzt)

20 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Compliant

Ir - Reverse Current

7.5 mA

Zz - Zener Impedance

20 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

7.5 mA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

9 V

Voltage Temperature Coefficient

0.001 %/C

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

配置

SINGLE

阻抗

20 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 6 V

功率耗散

500

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

7.5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

9 V

齐纳电压

9 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

电压允差

5 %

齐纳电流

-

电压温度系数

0.09 mV/°C

Vf-正向电压

-

产品类别

齐纳二极管

宽度

-

高度

-

长度

4.57 mm

直径

1.91 mm

辐射硬化

无