Microchip 1PMT4626E3/TR7

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-216AA

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-216

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

5.6 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

1PMT4626E3/TR7

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-216

Package Description

S-PDSO-G1

Risk Rank

1.22

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

1PMT4626

Impedance (Max) (Zzt)

1400 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

操作温度

-55°C ~ 150°C

系列

POWERMITE®

包装

Reel

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

S-PDSO-G1

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

1.4 kΩ

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 4 V

功率耗散

1 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

CATHODE

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

10 µA

测试电流

250 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.6 V

齐纳电压

5.6 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-216AA

工作测试电流

0.25 mA

电压允差

5 %

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无