Microchip JAN1N6104

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

8-SOIC

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

4.45W (Tc)

厂商

Vishay Siliconix

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.5A (Tc)

Base Product Number

SI4866

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.024692 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

系列

TrenchFET®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.4V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

39.24A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12.71V

电压 - 反向断态（典型值）

6.2V

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.3mOhm @ 12A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5020 pF @ 6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

场效应管特性

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes