Microchip JAN1N971B-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

DO-35-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

LB7K-32ST3VD-6H

Manufacturer

IDEC

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Compliant

Zz - Zener Impedance

41 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

5 uA

Pd - Power Dissipation

400 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Vz - Zener Voltage

27 V

Voltage Temperature Coefficient

0.09 %/C

Package

Bulk

Base Product Number

1N971

Impedance (Max) (Zzt)

41 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

27 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.56

Part Package Code

DO-35

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

480 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

1

参考标准

MIL-19500/117

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 20.6 V

功率耗散

500 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

4.6 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

27 V

齐纳电压

27 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

4.6 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

5 uA

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

齐纳二极管

长度

4.44 mm

直径

2.03 mm

辐射硬化

无