Microsemi Corporation JAN2N6790

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

800mW Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Tc

已出版

1997

系列

Military, MIL-PRF-19500/555

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14A

DS 击穿电压-最小值

200V

关断时间-最大值（toff)

100ns

接通时间-最大值(ton)

90ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant