Microchip JANS1N6347US

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件包装

TO-262

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

375W (Tc)

Product Status

Obsolete

Impedance (Max) (Zzt)

270 Ohms

Ir - Reverse Current

0.05 uA

Zz - Zener Impedance

270 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.05 uA

Pd - Power Dissipation

0.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.003333 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Vz - Zener Voltage

91 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.108 %/C

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

容差

±5%

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 69 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7mOhm @ 106A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

测试电流

1.4 mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9575 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

215 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

91 V

产品类别

齐纳二极管

电压允差

5 %

齐纳电流

4.7 mA

场效应管特性

-

Vf-正向电压

1.4 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

2.16 mm

高度

2.16 mm

长度

4.95 mm