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'jansp2n3636'

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category.单相BJT晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	终端数量					厂商											操作温度	系列	端子位置	终端形式	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	功率 - 最大	晶体管类型	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	频率转换
		JANSP2N3636	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	TO-39 (TO-205AD)	微芯片技术		Bulk	10 µA	活跃		-65°C ~ 200°C (TJ)	Military, MIL-PRF-19500/357						1 W	PNP	50 @ 50mA, 10V	10µA	600mV @ 5mA, 50mA	175 V	-
		JANSP2N3636L	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	TO-5	微芯片技术		Bulk	10 µA	活跃		-65°C ~ 200°C (TJ)	Military, MIL-PRF-19500/357						1 W	PNP	50 @ 50mA, 10V	10µA	600mV @ 5mA, 50mA	175 V	-
		JANSP2N3636UB	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	4-SMD, No Lead	YES	UB	3	Bulk	10 µA	活跃	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3	微芯片技术	小概要	UNSPECIFIED	200 °C	无	JANSP2N3636UB	RECTANGULAR	Microsemi Corporation	活跃	MICROSEMI CORP	5.7	-65°C ~ 200°C (TJ)	Military, MIL-PRF-19500/357	DUAL	无铅	compliant	R-XDSO-N3	Qualified	1.5 W	PNP	50 @ 50mA, 10V	10µA	600mV @ 5mA, 50mA	175 V	-
		JANSP2N3636UB/TR	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	4-SMD, No Lead	UB	微芯片技术		Bulk	10 µA	活跃		-65°C ~ 200°C (TJ)	Military, MIL-PRF-19500/357						1.5 W	PNP	50 @ 50mA, 10V	10µA	600mV @ 5mA, 50mA	175 V	-