参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Maximum Regulator Current
132(mA)
Operating Temperature Classification
Military
Maximum Voltage Regulation
3(V)
Package Type
E型壳体
Typical Voltage Temperature Coefficient
0.095%/°C(MAX)
Rev Curr
0.002(mA)
Knee Impedance
11
Test Current (It)
30(mA)
Mounting
通孔
Ir - Reverse Current
2 uA
Zz - Zener Impedance
11 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
2 uA
Pd - Power Dissipation
5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.026455 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Vz - Zener Voltage
36 V
RoHS
N
Voltage Temperature Coefficient
0.095 %/C
Package
Bulk
Base Product Number
1N4971
Impedance (Max) (Zzt)
11 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
36 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTX1N4971
Power Dissipation (Max)
5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.87
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT8208
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
容差
±5%
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
电压 - 供电
2.8V
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
33.333MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/356H
JESD-30代码
O-LALF-W2
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
33mA
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
电流 - 电源(禁用)(最大值)
31mA
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2 µA @ 27.4 V
功率耗散
5
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5 W
测试电流
30 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
36 V
齐纳电压
36
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
工作测试电流
30 mA
电压允差
5%
绝对牵引范围 (APR)
--
齐纳电流
132 mA
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.032 (0.80mm)
宽度
-
高度
-
长度
6.1 mm
直径
3.42 mm
评级结果
--