参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
包装/外壳
DO-35-2
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
DO-35
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
JANTX1N5525B-1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
DO-7
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
Risk Rank
1.15
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Reference Voltage-Nom
6.2 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Maximum Regulator Current
61(mA)
Operating Temperature Classification
Military
Maximum Voltage Regulation
0.2(V)
Package Type
DO-35
Rev Curr
0.001(mA)
Knee Impedance
30
Rad Hardened
无
Test Current (It)
1(mA)
Mounting
通孔
Voltage Temperature Coefficient
-
RoHS
N
Vz - Zener Voltage
6.2 V
Brand
Microchip / Microsemi
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Unit Weight
0.005291 oz
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
500 mW
Zz - Zener Impedance
30 Ohms
Package
Bulk
Base Product Number
1N5525
Impedance (Max) (Zzt)
30 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Schedule B
8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050
包装
Bag
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/437
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
稳压器
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 5 V
功率耗散
0.5(W)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
测试电流
1 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.2 V
齐纳电压
6.2
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-204AH
工作测试电流
1 mA
电压允差
5%
齐纳电流
61 mA
产品类别
齐纳二极管
直径
2.29 mm
长度
5.08 mm
辐射硬化
无