Microchip JANTX1N6319DUS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

64-LQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

64-LFQFP (10x10)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

R7F7010143

Data Converters

A/D 11x10b, 10x12b

Brand

Microchip / Microsemi

Number of I/Os

49

Package

Tray

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

活跃

Impedance (Max) (Zzt)

3 Ohms

Ir - Reverse Current

5 uA

Zz - Zener Impedance

3 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

5 uA

Pd - Power Dissipation

0.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.003333 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Vz - Zener Voltage

6.2 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.06 %/C

Package Description

O-XELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX1N6319DUS

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

MELF

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

RH850/F1L

容差

±1%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/533F

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

振荡器类型

Internal

速度

80MHz

二极管类型

泽纳电极

内存大小

96K x 8

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 3.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

3V ~ 5.5V

核心处理器

RH850G3K

箱体转运

ISOLATED

周边设备

DMA, I²S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT

程序存储器类型

FLASH

芯尺寸

32-Bit Single-Core

程序内存大小

768KB (768K x 8)

连接方式

CANbus, CSI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART

功率 - 最大

500 mW

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

1%

工作测试电流

20 mA

EEPROM 大小

32K x 8

电压允差

1 %

齐纳电流

68 mA

Vf-正向电压

1.4 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

2.16 mm

高度

2.16 mm

长度

4.95 mm