参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-78-6 Metal Can
供应商器件包装
TO-78-6
材料
Polyamide
Manufacturer Part Number
441169
Manufacturer
方形 D
Transistor Polarity
Dual PNP
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
Base Product Number
2N3810
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
Microchip / Microsemi
Maximum DC Collector Current
50 mA
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/336
包装
Bulk
颜色
White
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Dual
功率 - 最大
350mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 PNP (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 1mA, 5V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 100µA, 1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
-
图例
31-40
集电极基极电压(VCBO)
60 V
数量
0
产品类别
Bipolar Transistors - BJT