Microchip JANTXV1N6330US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
触点镀层
Lead, Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
14 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Unit Weight
0.003333 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Schedule B
8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
包装
Bulk
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
终端样式
SMD/SMT
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 14 V
功率耗散
500 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
功率 - 最大
500 mW
测试电流
7 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
18 V
齐纳电压
18 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
产品类别
齐纳二极管
宽度
2.16 mm
高度
2.16 mm
长度
4.95 mm