Microchip MRF5812GR1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

5000 MHz

Manufacturer Part Number

MRF5812GR1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

7.93

Part Package Code

SOIC

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低噪音

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.25 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

200 mA

增益

15.5 dB

转换频率

5 GHz

最大击穿电压

15 V

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

1.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

15 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

2 pF

辐射硬化

无

无铅

无铅