MRF581AG详情
Microchip MRF581AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
Manufacturer Part Number
MRF581AG
Manufacturer
Microsemi Corporation
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
RoHS
Compliant
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4
Package Style
磁盘按钮
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
5000 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Risk Rank
5.36
包装
Bulk
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
1.25 W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-PRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15 V
最大集电极电流
200 mA
增益
15.5 dB
转换频率
5 GHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
90
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
3 pF
辐射硬化
无
MRF581AG拓展信息
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