Microchip MRF581G

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18 V

RoHS

Compliant

Transition Frequency-Nom (fT)

5000 MHz

Manufacturer Part Number

MRF581G

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.36

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

磁盘按钮

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低噪音

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.25 W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-PRDB-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大集电极电流

200 mA

增益

15.5 dB

转换频率

5 GHz

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

18 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

3 pF

无铅

无铅