Microchip Technology 1N5258BUR-1

包装/外壳

DO-213AB-2

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Vz - Zener Voltage

36 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Zz - Zener Impedance

70 Ohms

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.1 uA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Voltage Temperature Coefficient

0.093 %/C

Unit Weight

0.001411 oz

Package

Bulk

Base Product Number

1N5258

Impedance (Max) (Zzt)

70 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

500 mW

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

36 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5258BUR-1

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.05

Part Package Code

DO-213AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 27 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

100 nA

测试电流

3.4 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

36 V

齐纳电压

36 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

3.4 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

0.1 uA

Vf-正向电压

1.1 V

辐射硬化

有