Microchip Technology ARF1500

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-1

表面安装

YES

供应商器件包装

T-1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

60 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

10 ns

Forward Transconductance - Min

6 mS

Pd - Power Dissipation

1.5 kW

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Unit Weight

0.706030 oz

Package

Box

Base Product Number

ARF1500

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rated

500 V

Voltage, Rating

500 V

Number of Elements

1

Package Description

CERAMIC PACKAGE-6

Package Style

FLATPACK

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Drain Current-Max (ID)

60 A

Risk Rank

1.63

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

SQUARE

Manufacturer Part Number

ARF1500

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Mounting Styles

法兰安装

Rds On - Drain-Source Resistance

-

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

额定电流

60A

最大功率耗散

1.5 kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

60 A

频率

27.12MHz

引脚数量

6

JESD-30代码

S-CDFP-F6

资历状况

不合格

工作频率

40 MHz

配置

N-Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

输出功率

750 W

晶体管应用

AMPLIFIER

上升时间

6 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

60 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

17 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

功率 - 输出

750W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1500 W

噪声图

-

电压-测试

125 V

最高频段

甚高频段

测试电压

125 V

辐射硬化

无