Microchip Technology ARF1510

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-1

底架

表面贴装

引脚数

10

供应商器件包装

T-1

Unit Weight

0.687987 oz

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Pd - Power Dissipation

1.5 kW

Forward Transconductance - Min

3 mS

Fall Time

10 ns

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1 kV

Id - Continuous Drain Current

8 A

Transistor Polarity

N-Channel

RoHS

Details

Continuous Drain Current Id

8

Package

Tube

Base Product Number

ARF1510

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rated

1000 V

Voltage, Rating

1 kV

Number of Elements

4

Mounting Styles

法兰安装

Rds On - Drain-Source Resistance

-

系列

-

包装

Bulk

类型

射频功率MOSFET

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

额定电流

8A

最大功率耗散

1.5 kW

额定电流

8 A

频率

40.7MHz

工作频率

40 MHz

配置

N-Channel

功率耗散

1.5

输出功率

750 W

上升时间

5 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

8 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

17 dB

信道型

N

功率 - 输出

750W

噪声图

-

电压-测试

400 V

测试电压

400 V

辐射硬化

无