Microchip Technology JANS2N5794U/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

供应商器件包装

U

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

300 at 150 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/495

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

600mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

连续集电极电流

600 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT