Microchip Technology JANTXV2N2920U/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

供应商器件包装

6-SMD

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

175

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

600

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/355

操作温度

200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

350mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100μA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

连续集电极电流

30 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT