Microchip Technology SG2013J-883B

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

CDIP

供应商器件包装

16-CDIP

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

7

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

cmos 兼容

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

MIL-STD-883

资历状况

不合格

配置

COMPLEX

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

7 NPN Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.9V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

900 @ 500mA 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.9V @ 600μA, 500mA

辐射硬化

有

RoHS状态

Non-RoHS Compliant