Microchip Technology UZ8809

包装/外壳

A, Axial

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

A, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Impedance (Max) (Zzt)

5 Ohms

Product Status

活跃

Package

Bulk

RoHS

Non-Compliant

Zz - Zener Impedance

5 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

3 uA

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

9.1 V

Voltage Temperature Coefficient

0.05 %/C

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

9.1 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

UZ8809

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIGITRON SEMICONDUCTORS

Forward Voltage-Max (VF)

1.35 V

Risk Rank

5.86

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±10%

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

3 μA @ 6.6 V

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

3 µA

测试电流

28 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

9.1 V

齐纳电压

9.1 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

10%

工作测试电流

28 mA

电压允差

10 %

反向电流-最大值

3 µA

齐纳电流

3 uA

动态阻抗-最大值

5 Ω

反向测试电压

6.9 V

电压温度系数

4.55 mV/°C

产品类别

齐纳二极管

长度

3.9 mm

直径

2.16 mm

辐射硬化

无