Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-D
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EDB1332BDBH-1DIT-F-D
1616-EDB1332BDBH-1DIT-F-D
存储器
134-VFBGA
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DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V 134-Pin FBGA Dry Pack
--最小包装量--
EDB1332BDBH-1DIT-F-D详情
Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
134-VFBGA
引脚数
134
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TC
包装
Bulk
已出版
2008
JESD-609代码
e1
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
134
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
1.2V
电源电压-最大值(Vsup)
1.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
1Gb 32M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
32MX32
内存宽度
32
地址总线宽度
13b
密度
1 Gb
最高频率
533MHz
访问模式
单库页面突发
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDB1332BDBH-1DIT-F-D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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