EDB1332BDBH-1DIT-F-D
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Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-D

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型号

EDB1332BDBH-1DIT-F-D

utmel 编号

1616-EDB1332BDBH-1DIT-F-D

商品类别

存储器

封装

134-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V 134-Pin FBGA Dry Pack

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EDB1332BDBH-1DIT-F-D
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V 134-Pin FBGA Dry Pack

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EDB1332BDBH-1DIT-F-D详情

Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    134-VFBGA

  • 引脚数

    134

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TC

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    134

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM

  • 电压 - 供电

    1.14V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.2V

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 工作电源电压

    1.2V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14V

  • 内存大小

    1Gb 32M x 32

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    32b

  • 组织结构

    32MX32

  • 内存宽度

    32

  • 地址总线宽度

    13b

  • 密度

    1 Gb

  • 最高频率

    533MHz

  • 访问模式

    单库页面突发

  • 长度

    11.5mm

  • 座位高度(最大)

    1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-D.

右边的3个型号有着和Micron Technology Inc. & EDB1332BDBH-1DIT-F-D相似的参数规格。

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EDB1332BDBH-1DIT-F-D拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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