Micron Technology Inc. MT36HTF51272FZ-667H1D6
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MT36HTF51272FZ-667H1D6
1616-MT36HTF51272FZ-667H1D6
存储器 - 模块
240-FBDIMM
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DRAM Module DDR2 SDRAM 4Gbyte 240FBDIMM Tray
1最小包装量--
MT36HTF51272FZ-667H1D6详情
Micron Technology Inc. MT36HTF51272FZ-667H1D6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
240-FBDIMM
引脚数
240
Memory Types
DDR2 SDRAM
Number of Elements
36
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
240
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
95°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
1.8V
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
4GB
速度
667MT/s
时钟频率
333MHz
数据总线宽度
72b
组织结构
512MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
记忆密度
38654705664 bit
最高频率
667MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT36HTF51272FZ-667H1D6拓展信息
Micron Technology Inc.
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