MT41K512M8DA-093:P
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Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093:P

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型号

MT41K512M8DA-093:P

utmel 编号

1616-MT41K512M8DA-093:P

商品类别

存储器

封装

78-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 78BGA

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MT41K512M8DA-093:P Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 78BGA

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MT41K512M8DA-093:P详情

Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093:P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    78-TFBGA

  • 引脚数

    78

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Commercial grade

  • 操作温度

    0°C~95°C TC

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    78

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电压 - 供电

    1.283V~1.45V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.35V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 工作电源电压

    1.35V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.45V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.283V

  • 内存大小

    4Gb 512M x 8

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    1067MHz

  • 访问时间

    20ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512MX8

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    4294967296 bit

  • 长度

    10.5mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    8mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093:P.

右边的3个型号有着和Micron Technology Inc. & MT41K512M8DA-093:P相似的参数规格。

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MT41K512M8DA-093:P拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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