Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E:B
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MT49H8M36SJ-25E:B
1616-MT49H8M36SJ-25E:B
存储器
144-TFBGA
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DRAM Chip RLDRAM2 228M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin FBGA
1最小包装量--
MT49H8M36SJ-25E:B详情
Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-TFBGA
引脚数
144
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
144
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
288Mb 8M x 36
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
15ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
36b
组织结构
8MX36
内存宽度
36
地址总线宽度
21b
密度
228 Mb
最高频率
400MHz
长度
18.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT49H8M36SJ-25E:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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