Micron Technology Inc. MT8KTF51264AZ-1G6E1
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MT8KTF51264AZ-1G6E1
1616-MT8KTF51264AZ-1G6E1
存储器 - 模块
240-UDIMM
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MODULE DDR3L SDRAM 4GB 240UDIMM
1最小包装量--
MT8KTF51264AZ-1G6E1详情
Micron Technology Inc. MT8KTF51264AZ-1G6E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
Socket
包装/外壳
240-UDIMM
引脚数
240
Memory Types
DDR3L SDRAM
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
240
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
电源电压
1.35V
端子间距
1mm
资历状况
不合格
电源
1.35V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
4GB
速度
1600MT/s
数据总线宽度
64b
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.144A
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
800MHz
访问时间(最大)
0.225 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT8KTF51264AZ-1G6E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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