注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHY-335F2

Name: MT9VDDT6472PHY-335F2
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT9VDDT6472PHY-335F2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

MT9VDDT6472PHY-335F2

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT9VDDT6472PHY-335F2

商品类别

存储器 - 模块

封装

200-SODIMM

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

MT9VDDT6472PHY-335F2 Micron Technology Inc. DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

MT9VDDT6472PHY-335F2详情

技术参数

PDF文档

Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHY-335F2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

Socket
包装/外壳

200-SODIMM
引脚数

200
Memory Types

DDR SDRAM
Number of Elements

9
已出版

2010
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
工作电源电压

2.5V
最大电源电压

2.7V
最小电源电压

2.3V
内存大小

512MB
速度

333MT/s
访问时间

700 ps
最高频率

333MHz
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

MT9VDDT6472PHY-335F2拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

MT9VDDT6472PHY-335F2零件

MTA18ASF2G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

MT8KTF51264AZ-1G9P1

Micron Technology Inc.

MT18KSF1G72HZ-1G6P1

Micron Technology Inc.

MT9HTF12872PZ-80EH1

Micron Technology Inc.

MTA8ATF1G64AZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

MT9HTF12872PKZ-80EH1

Micron Technology Inc.

MT18HTF25672AZ-667H1

Micron Technology Inc.

MT18HTF25672PZ-80EH1

Micron Technology Inc.

MT18KSF1G72PDZ-1G6P1

Micron Technology Inc.

MT18HVF25672PZ-80EH1

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z