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首页 存储卡，模块 存储器 - 模块 MT9VDDT6472PHY-335F2
MT9VDDT6472PHY-335F2
MT9VDDT6472PHY-335F2

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Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHY-335F2

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型号

MT9VDDT6472PHY-335F2

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT9VDDT6472PHY-335F2

商品类别

存储器 - 模块

封装

200-SODIMM

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

起订量

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MT9VDDT6472PHY-335F2
MT9VDDT6472PHY-335F2 Micron Technology Inc. DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

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MT9VDDT6472PHY-335F2详情

技术参数

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Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHY-335F2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Socket

  • 包装/外壳

    200-SODIMM

  • 引脚数

    200

  • Memory Types

    DDR SDRAM

  • Number of Elements

    9

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 工作电源电压

    2.5V

  • 最大电源电压

    2.7V

  • 最小电源电压

    2.3V

  • 内存大小

    512MB

  • 速度

    333MT/s

  • 访问时间

    700 ps

  • 最高频率

    333MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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