Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-2G3B1
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MTA4ATF51264HZ-2G3B1
1616-MTA4ATF51264HZ-2G3B1
存储器 - 模块
260-SODIMM
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IC SDRAM DDR4 4GB 512MX64 SODIMM
--最小包装量--
MTA4ATF51264HZ-2G3B1详情
Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-2G3B1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Socket
包装/外壳
260-SODIMM
引脚数
260
Memory Types
DDR4 SDRAM
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
260
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
95°C
最小工作温度
0°C
附加功能
WD-MAX
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
功能数量
1
电源电压
1.2V
工作电源电压
1.2V
温度等级
OTHER
最大电源电压
1.26V
最小电源电压
1.14V
内存大小
4GB
端口的数量
1
速度
2400MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
数据总线宽度
64b
组织结构
512MX64
内存宽度
64
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
1.2GHz
访问模式
单库页面突发
长度
69.6mm
座位高度(最大)
30.13mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MTA4ATF51264HZ-2G3B1拓展信息
Micron Technology Inc.
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