Micron Technology Inc. MTEDCBR008SAJ-1N2
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MTEDCBR008SAJ-1N2
1616-MTEDCBR008SAJ-1N2
存储器 - 模块
Module
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MODULE FLASH NAND SLC 8GB
1最小包装量--
MTEDCBR008SAJ-1N2详情
Micron Technology Inc. MTEDCBR008SAJ-1N2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
包装/外壳
Module
表面安装
YES
Memory Types
FLASH - NAND (SLC)
Operating Temperature (Max.)
70°C
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
HTS代码
8542.31.00.01
电压 - 额定直流
3.3V
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XXMA-N10
温度等级
COMMERCIAL
电压
3.3V
界面
USB
内存大小
8GB
uPs/uCs/外围ICs类型
SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
密度
64 Gb
主机数据传输速率-最大
30 MBps
长度
36.9mm
座位高度(最大)
5.9mm
宽度
26.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MTEDCBR008SAJ-1N2拓展信息
Micron Technology Inc.
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