Microsemi 1N5660Ae3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
1N5660AE3
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
O-MALF-W2
Risk Rank
1.38
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
1 W
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MALF-W2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
Rep Pk反向电压-最大值
111 V
JEDEC-95代码
DO-202AA
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
124 V
击穿电压-最大值
137 V