APT1001R3AN详情
Microsemi APT1001R3AN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
APT1001R3AN
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.61
Drain Current-Max (ID)
8.5 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-3
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5 A
漏极-源极导通最大电阻
1.3 Ω
DS 击穿电压-最小值
1000 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
230 W
环境耗散-最大值
230 W
APT1001R3AN拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








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