Microsemi Corporation APT77N60JC3
- 收藏
- 对比
APT77N60JC3
1619-APT77N60JC3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
--最小包装量--
APT77N60JC3详情
Microsemi Corporation APT77N60JC3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
质量
30.000004g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
77A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
568W Tc
Turn Off Delay Time
110 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e1
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
600V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
77A
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
568W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 5.4mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
640nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
77A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.035Ohm
漏源击穿电压
600V
高度
9.6mm
长度
38.2mm
宽度
25.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT77N60JC3拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。