APL1001J
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Microsemi Corporation APL1001J

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型号

APL1001J

utmel 编号

1619-APL1001J

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227

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APL1001J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227

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APL1001J详情

Microsemi Corporation APL1001J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 质量

    30.000004g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    520W Tc

  • Turn Off Delay Time

    60 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    UL 认证

  • 电压 - 额定直流

    1kV

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 额定电流

    18A

  • 引脚数量

    4

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    520W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    600m Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 2.5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7200pF @ 25V

  • 上升时间

    14ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1000V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    14 ns

  • 连续放电电流(ID)

    18A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.6Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    72A

  • 高度

    9.6mm

  • 长度

    38.2mm

  • 宽度

    25.4mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

APL1001J拓展信息

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