APT5022BN-GULLWING
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Microsemi APT5022BN-GULLWING

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型号

APT5022BN-GULLWING

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-APT5022BN-GULLWING

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3

起订量

1最小包装量--

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APT5022BN-GULLWING
APT5022BN-GULLWING Microsemi FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3

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APT5022BN-GULLWING详情

Microsemi APT5022BN-GULLWING重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn-on Time-Max (ton)

    124 ns

  • Turn-off Time-Max (toff)

    237 ns

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Number of Elements

    1

  • Drain Current-Max (ID)

    27 A

  • Risk Rank

    5.76

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3

  • Part Package Code

    TO-247

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Manufacturer Part Number

    APT5022BN-GULLWING

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.22 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    108 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    350 pF

  • 环境耗散-最大值

    360 W

0个相似型号

APT5022BN-GULLWING拓展信息

GP1020CGGPKR
GP1020CGGPKR

Microsemi

HU10120E3
HU10120E3

Microsemi

FST19345A
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FST6130D
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FST5040
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GC6-1
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G3730Y1EN1S
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HDMP-0480G
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