Microsemi Corporation 2N3439UA

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e4

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍镀金

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XDSO-N3

配置

SINGLE

功率耗散

800mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

最大集极截止电流

2μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

450V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant