ROHM Semiconductor 2SD2444KT146R
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2SD2444KT146R
2078-2SD2444KT146R
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS NPN 15V 1A SOT-346
--最小包装量--
2SD2444KT146R详情
ROHM Semiconductor 2SD2444KT146R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
180
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
15V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SD2444
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 20mA, 400mA
最高频率
100MHz
转换频率
200MHz
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
1A
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD2444KT146R拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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