Microsemi Corporation 2N5680

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE

电压

120V

电流

1A

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 250mA 2V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant