Microsemi Corporation 2N6989

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

22 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

14

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

4

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

4 NPN (Quad)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-116

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant