Microsemi Corporation APT11GP60BDQBG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 11A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

600V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

41A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

187W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

16 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 11A

关断时间-标准值（toff)

150 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

40nC

集极脉冲电流（Icm）

45A

Td（开/关）@25°C

7ns/29ns

开关能量

46μJ (on), 90μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅