Microsemi Corporation APT75GP120B2G

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 75A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

1.042kW

额定电流

100A

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

1042W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

100A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

60 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 75A

连续集电极电流

100A

关断时间-标准值（toff)

359 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

320nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

20ns/163ns

开关能量

1620μJ (on), 2500μJ (off)

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅