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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 APT35GP120B2DF2
APT35GP120B2DF2
APT35GP120B2DF2

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Microsemi Corporation APT35GP120B2DF2

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型号

APT35GP120B2DF2

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1604-APT35GP120B2DF2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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APT35GP120B2DF2
APT35GP120B2DF2 Microsemi Corporation Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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APT35GP120B2DF2详情

技术参数

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Microsemi Corporation APT35GP120B2DF2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    NO

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    543 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    96 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6 V

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation APT35GP120B2DF2.

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公司资质

ISO13485
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DUNS
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